Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (26)

IRFR5305TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

28 272 шт

Под заказ:

2 770 шт

Аналоги:

54 426 шт

Цена от:

от 41,42₽

IRLL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 403 шт

Под заказ:

8 100 шт

Цена от:

от 28,77₽

IRLML6402TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 633пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

231 701 шт

Под заказ:

18 300 шт

Аналоги:

716 742 шт

Цена от:

от 7,49₽

IRLR024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

12 811 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 19,16₽

Акция

IRFU5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 938 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 53,16₽

IRLU024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт, 0.065 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: IPAK (TO-251) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 097 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 28,30₽

STD15NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 572 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 71,54₽

Акция

AUIRFR5305 Транзистор полевой P-канальный 55В 31А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

517 шт

Цена от:

от 184,29₽

DMP3099L-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.08Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 563пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP3099L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.08Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 563пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCH47N60NF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 45.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 45.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 368Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 157нКл Входная емкость: 6120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDC642P Транзистор полевой P-канальный 20В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 925пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC642P-F085 Транзистор полевой P-канальный 20В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FKP300A Транзистор полевой N-канальный 300В 30А 85Вт Производитель: Sanken Semiconductors Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

58 255 шт

Цена от:

от 17,31₽

IRFR5305TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

58 255 шт

Цена от:

от 17,31₽

Акция

IRLL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

15 503 шт

Цена от:

от 28,77₽

Акция

IRLR024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 622 шт

Цена от:

от 17,96₽

IRLR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 622 шт

Цена от:

от 17,96₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"