Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1889)
Surface Mount(3522)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (29)

BSH103,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.85А 0.5Вт, 0.5 Ом Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 850мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ Заряд затвора: 2.1нКл Входная емкость: 83пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

135 197 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 8,52₽

IRF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

547 шт

Под заказ:

9 шт

Цена от:

от 72,03₽

STF11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11А 0.35 Ом, 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

175 шт

Под заказ:

167 шт

Цена от:

от 142,19₽

STP11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

772 шт

Цена от:

от 331,18₽

BSH103,235 Транзистор полевой N-канальный 30В 0.85А 0.75Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 850мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ Заряд затвора: 2.1нКл Входная емкость: 83пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

135 197 шт

Цена от:

от 8,52₽

DMG1012T-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.74нКл Входная емкость: 60.67пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCPF400N80Z Транзистор полевой N-канальный 800В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF630 Транзистор полевой N-канальный 200В 6.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF630PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF630SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI630GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP450APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2038пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP450LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт, 0.4 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPC60LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPC60PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт, 0.40 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL630PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL630SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"