Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (35)
IRLML2502TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2А 0.8Вт, 0.045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 740пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
218 499 шт

Под заказ:
21 270 шт
Аналоги:
429 879 шт
Цена от:
от 7,57
IRF7406TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
273 шт

Под заказ:
4 000 шт
Аналоги:
449 шт
Цена от:
от 102,52
Акция IRFL4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5,2A 2,1Вт 0,045Ом SOT223 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
634 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 37,12
IRFR4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 014 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 49,12
Акция STB30NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
14 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,48
STP30NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
266 шт

Под заказ:
4 050 шт
Цена от:
от 41,96
STY60NK30Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 60А 450Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 450Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 7200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 160,35
AOD413 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 12 А, 25 Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14.1нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR4105 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3056LDM-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.3A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 21.1нКл Входная емкость: 948пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPP65R045C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 46A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Through Hole
IPW65R045C7FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 46A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF7406PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8А 2.5Вт, 0.045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 722 шт
Цена от:
от 7,34
IRFIB41N15DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 41 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 41A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2520пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFL4105PBF Транзистор полевой N-канальный 55В 3.7А 2.1Вт, 0.045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
634 шт
Цена от:
от 37,12
Акция IRFR4105PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 48Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 014 шт
Цена от:
от 23,69
IRFR4105TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 014 шт
Цена от:
от 17,61
IRLR2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD24N06LT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1140пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"