Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (26)
IRLML6401TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
18 651 шт

Под заказ:
33 100 шт
Аналоги:
165 885 шт
Цена от:
от 9,81
Акция IRLMS6802TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.6А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1079пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 951 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 46,88
STN4NF03L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4А 2.5Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
992 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 43,83
STD17NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.055 Ом, 17А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 320пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 096 шт

Под заказ:
1 030 шт
Цена от:
от 34,23
AO3414 Транзистор полевой N-канальный 20В 3A 3-Pin SOT-23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 436пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3050LVT-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3056L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.38Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 11.8нКл Входная емкость: 642пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP4050SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 4.4A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.9нКл Входная емкость: 674пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC658AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30V, 4A 1,6Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.1нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC658P Транзистор полевой P-канальный 30В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 528пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDT434P Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1187пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFIZ34GPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 20A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFZ34PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 30A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IXTA50N25T Транзистор полевой N-канальный 250В 50А 400Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDP6020P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 24 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1590пФ Тип монтажа: Through Hole
NDT454P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTF6P02T3G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 8.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
PHB27NQ10T,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2315BDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 715пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"