Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

STP6NK90ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.8А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 60.5нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 030 шт

Под заказ:

320 шт

Цена от:

от 124,49₽

STB6NK90ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 60.5нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

290 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 93,96₽

STP6NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.8А 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 60.5нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

184 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 264,90₽

CSD16340Q3 Транзистор полевой N-канальный 25В 60A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB13AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 62A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10.9A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 13 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7692 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 14 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7692A Транзистор полевой N-канальный 30В 13.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5215TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR8729PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR8729TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTA3N120 Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTA3N120TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 3А 200Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTP3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD16N06LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4435DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI4435DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4А 5Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB15N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF15N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP15N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 15A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"