Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (32)
IRF3710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
6 945 шт

Под заказ:
1 300 шт
Цена от:
от 45,30
IRF1010EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 84А 170Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 84A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3210пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
757 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 74,49
IRF3710STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 560 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 79,59
IRF7425TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 7980пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
571 шт

Под заказ:
500 шт
Цена от:
от 76,66
IRFB3507PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 97А 190Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
264 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 107,92
Акция IRFB7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 4555пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
118 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,93
IRFP054NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 81А 170Вт, 0.012 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 81A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
151 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 151,10
IRL2505PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104А 200Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 953 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 180,07
IRL2505STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
271 шт
Цена от:
от 453,36
IRLB4030PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 11360пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
69 шт

Под заказ:
6 000 шт
Цена от:
от 274,28
BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-5 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS6673BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 15.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15.2A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5915пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQA62N25C Транзистор полевой N-канальный 250В 62A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 298Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 6280пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75339P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75639G3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75639P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75639S3ST Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF3710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 560 шт
Цена от:
от 64,25
Акция IRF7425PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15А 2Вт, 8.2м Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 7980пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 071 шт
Цена от:
от 76,66
IRFB17N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16А, 220Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2760пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"