Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

IRF7469TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 909 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 56,26₽

IRFR220NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5А 43Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

6 349 шт

Под заказ:

5 700 шт

Аналоги:

1 385 шт

Цена от:

от 24,53₽

Акция

IRLR8726TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

9 210 шт

Под заказ:

6 800 шт

Аналоги:

6 017 шт

Цена от:

от 14,06₽

Акция

IRLB8748PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78А 75Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 78A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2139пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

484 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 50,64₽

FDC608PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3706 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 14.7 А, 3.8Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 14.7A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1882пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7692S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1385пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6680A Транзистор полевой N-канальный 30В 12.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD12N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD3P50TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 4.9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4P40TM Транзистор полевой P-канальный 400В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP4P40 Транзистор полевой P-канальный 400В 3.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA65R600C6XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7.3 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD65R600C6BTMA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 7.3А TO252 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7469PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 9А 2.5Вт, 0.012 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 818 шт

Цена от:

от 56,26₽

IRFB4212PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"