Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (51)
IRFR9024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
99 914 шт

Под заказ:
14 450 шт
Аналоги:
79 826 шт
Цена от:
от 17,67
STD11NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.5А 0.4 Ом, 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 547пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
339 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 138,88
IRF9Z24NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12А 45Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 475 шт

Под заказ:
11 000 шт
Цена от:
от 27,93
IRFL4315TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.6A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 317 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,77
IRFU9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 941 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 63,12
STD10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 088 шт

Под заказ:
600 шт
Цена от:
от 65,73
STF10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
4 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 71,64
STF3NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
201 шт

Под заказ:
20 шт
Цена от:
от 65,81
STP10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
245 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 187,06
STP3NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
90 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 120,39
Акция 2SK3702 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18А 20Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 775пФ Тип монтажа: Through Hole
CSD18504Q5A Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1656пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC5661N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 763пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD86102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD86326 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8015L Транзистор полевой N-канальный 40В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 945пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDT434P Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1187пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP5N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF5N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU5N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"