Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (28)

2N7002BK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 370мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 166 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 4,24₽

Акция

2N7002BKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА, 0.88Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 (SC-70) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 275мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

827 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 19,62₽

BSS84AKW,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 150мА, 0.31Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 260мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.35нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

658 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 4,13₽

Акция

NX7002AKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 220мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.43нКл Входная емкость: 17пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 723 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1,10₽

BSS84AK,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.18A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 180мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.35нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 255 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 4,02₽

BUK9Y12-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 52A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 9.8нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

3 000 шт

Цена от:

от 44,83₽

NX7002AK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 190мА Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 265мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.43нКл Входная емкость: 17пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

15 187 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1,45₽

2N7002BKM,315 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.45A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 450мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSS84AKM,315 Транзистор полевой P-канальный 50В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 340мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.35нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSS84AKMB,315 Транзистор полевой P-канальный 50В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.35нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9614-60E,118 Транзистор полевой N-канальный 60В 56A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 12.8 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 20.5нКл Входная емкость: 2651пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK964R2-80E,118 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 120 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 349Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 123нКл Входная емкость: 17130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK964R8-60E,118 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 234Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 9710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y21-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 824пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y3R5-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 30.2нКл Входная емкость: 5137пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y4R4-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 26.8нКл Входная емкость: 4077пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y6R0-60E,115 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 195Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 39.4нКл Входная емкость: 6319пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16404Q5A Транзистор полевой N-канальный 25В 81A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG4413LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 10.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 4965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3033LSN-7 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"