Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (35)

IPD135N03LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

21 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 685 шт

Цена от:

от 37,57₽

STD17NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.055 Ом, 17А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 096 шт

Под заказ:

1 030 шт

Цена от:

от 34,23₽

BSZ0901NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

CSD16406Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON-8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 8.1нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86116LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 103 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86106LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 108 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD50P04P4L11ATMA1 Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3-313 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6623TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] ST Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8113TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17.2A Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4927NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 7.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм Мощность макс.: 920мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 913пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS4C08NTWG Полевой транзистор N-канальный 30В 55A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 18.2нКл Входная емкость: 1113пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R1-30PL,127 Транзистор полевой N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 243нКл Входная емкость: 14850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN2R4-30MLDX Полевой транзистор N-канальный 30В 70A 8-Pin LFPAK EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 3264пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN2R4-30YLDX Транзистор полевой N-канальный 30В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 31.3нКл Входная емкость: 2256пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4136DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 46 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4174DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 17A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 985пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5429DU-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7613DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 52.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"