Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (33)
IRFS4115TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм @ 62А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 5270пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 954 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 221,11
IRFS4229TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 45A(Tc) Сопротивление открытого канала: 48 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 4560пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 038 шт

Под заказ:
12 000 шт
Цена от:
от 204,91
IRFS52N15DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 32 мОм @ 36А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2770пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
344 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 190,26
STF42N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33А TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 79 мОм @ 16.5А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 100нКл @ 10В Входная емкость: 4650пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
84 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 270,27
STP20NM50FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 250 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 192Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 53нКл @ 10В Входная емкость: 1380пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
53 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 834,85
AUIRF7799L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 35A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 38 мОм @ 21А, 10В Мощность макс.: 4.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 165нКл @ 10В Входная емкость: 6714пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFSL4115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 99A TO262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 99A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм @ 62А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 5270пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
Акция FCA36N60NF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34.9A(Tc) Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 112нКл @ 10В Входная емкость: 4245пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
FCD5N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 950 мОм @ 2.3А, 10В Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
FCH104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 139нКл @ 10В Входная емкость: 5950пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
Акция FCH35N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 35A TO-247 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 98 мОм @ 17.5А, 10В Мощность макс.: 312.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 181нКл @ 10В Входная емкость: 6640пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FCP104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 145нКл @ 10В Входная емкость: 6130пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDA24N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 85нКл @ 10В Входная емкость: 4310пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDD6N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 900 мОм @ 3А, 10В Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 16.6нКл @ 10В Входная емкость: 9400пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDP18N20F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 145 мОм @ 9А, 10В Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 10В Входная емкость: 1180пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP24N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 24A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 10В Входная емкость: 3020пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 42.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 101нКл @ 10В Входная емкость: 7280пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDPF8N50NZU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом @ 4А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 735пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FQP13N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 430 мОм @ 6.25А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 10В Входная емкость: 2300пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция FQPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.3A TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.3A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 2.2А, 10В Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 1430пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"