Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (33)
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
5270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 623 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 162,06
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
45A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
48 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
4560пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
655 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 216,60
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
32 мОм @ 36А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2770пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
561 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 167,22
STF42N65M5 STF42N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33А TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
79 мОм @ 16.5А, 10В
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
100нКл @ 10В
Входная емкость:
4650пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 217,32
STP20NM50FD STP20NM50FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
250 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
192Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
53нКл @ 10В
Входная емкость:
1380пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
30 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 742,32
AUIRF7799L2TR AUIRF7799L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 35A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET L8
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
375A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
38 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.:
4.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
165нКл @ 10В
Входная емкость:
6714пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFSL4115 AUIRFSL4115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 99A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
99A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
5270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FCA36N60NF FCA36N60NF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
34.9A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
95 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
112нКл @ 10В
Входная емкость:
4245пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
FCD5N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D-Pak
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
950 мОм @ 2.3А, 10В
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FCH104N60F FCH104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
139нКл @ 10В
Входная емкость:
5950пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
FCH35N60 FCH35N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
35A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
98 мОм @ 17.5А, 10В
Мощность макс.:
312.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
181нКл @ 10В
Входная емкость:
6640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FCP104N60F FCP104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
145нКл @ 10В
Входная емкость:
6130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDA24N50F FDA24N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
200 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
85нКл @ 10В
Входная емкость:
4310пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDD6N50TM FDD6N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D-Pak
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
900 мОм @ 3А, 10В
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16.6нКл @ 10В
Входная емкость:
9400пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDP18N20F FDP18N20F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
145 мОм @ 9А, 10В
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
26нКл @ 10В
Входная емкость:
1180пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP24N40 FDP24N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 24A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
175 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
3020пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP2710 FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
42.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
101нКл @ 10В
Входная емкость:
7280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF8N50NZU FDPF8N50NZU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом @ 4А, 10В
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
735пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQP13N50 FQP13N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
430 мОм @ 6.25А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
2300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF7N60 FQPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.3A TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1 Ом @ 2.2А, 10В
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1430пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"