Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
Акция IRF5801TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.6А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 88пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 291 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 29,73
SPP03N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
76 шт

Под заказ:
14 000 шт
Цена от:
от 55,81
IRF5802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 0.9А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 88пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 099 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 25,33
IRF7452TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A, 2.5Вт 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
103 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 258,21
IRF7465TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 775 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 42,27
IRFB23N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23А 136Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 053 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 86,41
IRFB23N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
61 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 298,54
IRFB31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 2370пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
168 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 339,49
IRFB33N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
47 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 164,90
IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3430пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
146 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 145,23
IRFR13N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
61 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 229,22
IRFR13N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 235 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 180 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 69,65
SPP20N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 103нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
52 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 492,00
Акция SPW20N60S5FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 103нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
24 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 438,41
FDP3651U Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 5522пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF7450PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 2.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF7450TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF7452PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 4.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
103 шт
Цена от:
от 258,21
IRF7465PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 1.9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 775 шт
Цена от:
от 42,27
Акция IRF7473PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"