Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (30)
Акция IRLML2244TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 6.9нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
40 315 шт

Под заказ:
16 600 шт
Аналоги:
44 929 шт
Цена от:
от 11,51
Акция IRLML2246TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.6А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 135 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 2.9нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
29 839 шт

Под заказ:
8 700 шт
Аналоги:
38 187 шт
Цена от:
от 7,04
IRLML6244TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
25 212 шт

Под заказ:
245 900 шт
Аналоги:
78 637 шт
Цена от:
от 6,58
IRLML6346TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.4А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 2.9нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
42 489 шт

Под заказ:
18 850 шт
Аналоги:
94 809 шт
Цена от:
от 8,78
IRLTS2242TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.9А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.9А Сопротивление открытого канала: 32 mOhm Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
8 936 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 18,43
IRLHS2242TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 877пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 336 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 18,01
IRLHS6242TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 11.7 мОм Мощность макс.: 1.98Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 242 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 37,24
IRLML6246TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт, 4.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 3.5нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
13 573 шт

Под заказ:
5 500 шт
Цена от:
от 10,77
IRLML6344TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 258 шт

Под заказ:
101 350 шт
Аналоги:
19 566 шт
Цена от:
от 9,46
IRLTS6342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 744 шт

Под заказ:
6 000 шт
Цена от:
от 17,42
NX2301P,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 170 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7,36
NX3008NBKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 260мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.68нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
9 000 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4,85
NX3008PBKW,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.31Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом Мощность макс.: 260мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.72нКл Входная емкость: 46пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
15 000 шт
Цена от:
от 3,68
CSD13202Q2 Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 76 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 6.6нКл Входная емкость: 997пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD13381F4 Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD13381F4T Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD16340Q3 Транзистор полевой N-канальный 25В 60A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17381F4T Транзистор полевой N-канальный 30В 3.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.35нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD25310Q2 Транзистор полевой P-канальный 20В 20A 6-Pin WSON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 23.9 мОм Мощность макс.: 2.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 4.7нКл Входная емкость: 655пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN26D0UFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.24A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Входная емкость: 14.1пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"