Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (226)
IRFR7540TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 4360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
146 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 62,14
IRFS52N15DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 32 мОм @ 36А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2770пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
54 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 176,81
AOB14N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A D2PAK Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A(Tc) Сопротивление открытого канала: 380 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 51нКл @ 10В Входная емкость: 2297пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AOB20S60L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 199 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 266Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA Заряд затвора: 19.8нКл @ 10В Входная емкость: 1038пФ @ 100В Тип монтажа: Surface Mount
AOB2500L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 11.5A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 11.5A(Ta),152A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 136нКл @ 10В Входная емкость: 6460пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount
AOB25S65L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 25A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 12.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 26.4нКл @ 10В Входная емкость: 1278пФ @ 100В Тип монтажа: Surface Mount
AOB290L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A(Ta),140A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA Заряд затвора: 126нКл @ 10В Входная емкость: 9550пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
AOD11S60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO252 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A(Tc) Сопротивление открытого канала: 399 мОм @ 3.8А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA Заряд затвора: 11нКл @ 10В Входная емкость: 545пФ @ 100В Тип монтажа: Surface Mount
AOD1N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.3A TO252 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.3A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 Ом @ 650mА, 10В Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 8нКл @ 10В Входная емкость: 160пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AOT12N30L MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 11.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 420 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 132Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 790пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AOTF25S65 MOSFET N-CH 650V 25A TO220F Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 12.5А, 10В Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 26.4нКл @ 10В Входная емкость: 1278пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
APT7M120B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 8A TO247 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TO-247 [B] Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом @ 3А, 10В Мощность макс.: 335Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 1mA Заряд затвора: 80нКл @ 10В Входная емкость: 2565пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRF1010EZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм @ 51А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 86нКл @ 10В Входная емкость: 2810пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRF1010EZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм @ 51А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 86нКл @ 10В Входная емкость: 2810пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF1010ZL Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 95нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRF1324 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 24В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм @ 195А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 240нКл @ 10В Входная емкость: 7590пФ @ 24В Тип монтажа: Through Hole
AUIRF2804STRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 240нКл @ 10В Входная емкость: 6450пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Новинка AUIRF3205 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 62А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 146нКл @ 10В Входная емкость: 3247пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRF3205Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 3450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRF3205ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 3450пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"