Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (21)
AUIRF1404Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 172,22
Акция AUIRF3805S-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
83 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 078,54
Акция IRF2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
157 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 235,47
Акция IRF2907ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
56 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 424,58
IRL1404PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160А 200Вт, 0.004 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 6590пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
175 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 219,22
IRLR8743TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 628 шт

Под заказ:
70 шт
Цена от:
от 77,97
IRLU8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
319 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 112,51
AUIRF1404 Транзистор полевой N-канальный 40В 202A Aвтомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 196нКл Входная емкость: 5669пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRF1404ZS Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF3805 Транзистор полевой N-канальный 55В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7960пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRF3805L Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7960пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRF3805S Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7960пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRL1404S Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRL1404Z Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA160N08 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 160 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7900пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF2804S-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 6930пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF2907ZS-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7580пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF2907ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
156 шт
Цена от:
от 424,58
Акция IRF3805S-7PPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 160А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
768 шт
Цена от:
от 303,74
Акция IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 396 шт
Цена от:
от 8,27
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"