Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (41)
Акция IRFB5615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
7 191 шт

Под заказ:
8 500 шт
Цена от:
от 57,45
IRFR540ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 28.5 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 910 шт

Под заказ:
190 шт
Цена от:
от 52,76
2SK3662 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А 35Вт (рекомендуемая замена: TK40A06N1, TK30A06N1, TK40E06N1) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
103 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 91,15
Акция STB30NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
14 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,48
STD30NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А 0.022 Ом, 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
28 шт

Под заказ:
2 500 шт
Цена от:
от 88,64
STP30NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
266 шт

Под заказ:
4 050 шт
Цена от:
от 41,96
AUIRFR540Z Транзистор полевой N-канальный 100В 35A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 28.5 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSZ130N03LSGATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 35A 8-Pin TSDSON EP Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-5 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18543Q3A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: VSONP-8 (3.3 mm x 3.3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
FDD8778 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 845пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8780 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8782 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMD8530 Полевой транзистор N-канальный 30В 35A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7556S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 133нКл Входная емкость: 8965пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQPF70N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75321P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB4615PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI4510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 2998пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"