Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

IRF7241TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.2А 2,5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 000 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 54,55₽

MDD7N25RH Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2А 56Вт Производитель: Magna Chip Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 6.2A Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал

Наличие:

92 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 28,62₽

STP8NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1320пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

196 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 170,94₽

STP8NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.2А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1320пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

312 шт

Под заказ:

120 шт

Цена от:

от 107,92₽

DMP2066UFDE-7 Полевой транзистор P-канальный 20В 6.2A автомобильного применения 6-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DFN6 2020 (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 14.4нКл Входная емкость: 1537пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637AN Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1125пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637BNZ Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 895пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3860 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1740пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6643TRPBF Полевой транзистор N-канальный 150В 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 34.5 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 2340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7241PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 000 шт

Цена от:

от 54,55₽

IRFBC40APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40ASTRRPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBC40SPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7850DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7850DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"