Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (25)

IRLML2030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 1нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

20 188 шт

Под заказ:

10 200 шт

Аналоги:

72 967 шт

Цена от:

от 10,22₽

IRLML0060TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 92 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 251 шт

Под заказ:

11 000 шт

Аналоги:

150 494 шт

Цена от:

от 11,29₽

FDC8601 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86261P Транзистор полевой P-канальный 150В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN359AN Транзистор полевой N-канальный 30В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN359BN Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN8601 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4P40TM Транзистор полевой P-канальный 400В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9214PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9214TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU9214PBF Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 2.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLL014TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT014 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3151PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2303CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4848DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI4848DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD3N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 2.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 385пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"