Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (89)
IRF7424TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4030пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 419 шт

Под заказ:
620 шт
Цена от:
от 27,82
IRFR9024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
99 914 шт

Под заказ:
14 450 шт
Аналоги:
79 826 шт
Цена от:
от 17,67
BSZ100N06LS3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A TSDSON8 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
5 000 шт
Цена от:
от 60,28
Акция IRF7807ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
446 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,88
IRF8707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-SOIC, 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 9.3нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 742 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 21,44
Акция IRFH5406TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1256пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
258 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 160,12
IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1543пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 978 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 39,77
IRFU9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 941 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 63,12
MMF60R360PTH Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 31Вт Производитель: Magna Chip Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
41 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 74,10
Акция SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
279 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 229,44
SPA11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 (fully isolated) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
83 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 248,90
SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
208 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 208,59
SPP11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 010 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 216,05
STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) type A Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
757 шт

Под заказ:
410 шт
Цена от:
от 104,89
STF11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11А 0.35 Ом, 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
104 шт

Под заказ:
405 шт
Цена от:
от 156,80
STF13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.28 Ом, 11А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
459 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 83,23
STP11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
500 шт

Под заказ:
288 шт
Цена от:
от 316,99
STP13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
247 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 119,79
STW12NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11А 230Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 880 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 152нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
900 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 194,47
Акция AO4422 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"