Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

Акция

2SK3116 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 70Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал

Наличие:

48 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 71,55₽

IPW60R041C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

32 шт

Под заказ:

1 400 шт

Цена от:

от 999,18₽

Акция

2SK3298 Полевой транзистор, N-канальный, 600В 7.5А 40Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

2SK3667 Транзистор полевой N-канальный 600В 7.5А 45Вт (рекомендуемая замена: TK8A60DA) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

AO8814 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.5A 8-Pin TSSOP Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TSSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 7.5А, 10В Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD4126 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43А 50Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG4800LSD-13 Транзистор полевой N-канальный 30В 7.5A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

FDS3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 7.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2015пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86240 Транзистор полевой N-канальный 150В 7.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 19.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF8N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1255пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW60R041P6FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 77.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDT456P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS4801NR2G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 2201пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4821NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR698DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.5 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 195 мОм Мощность макс.: 23Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB10N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD10N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD5NM50AG MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 7.5A Тип транзистора: N-канальный Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF10N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP10N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"