Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (52)
Акция 2SK1317-E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.5KВ 2.5А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 12 Ом Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Входная емкость: 990пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 523 шт

Под заказ:
1 892 шт
Цена от:
от 240,03
2SK3566 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 2.5А 40Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 2.5A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
181 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 86,73
STF3NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
201 шт

Под заказ:
20 шт
Цена от:
от 66,46
STP3N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.3нКл Входная емкость: 939пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 шт
Цена от:
от 1 078,09
STP3NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
90 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 120,39
2SK2632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5А 25Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал
2SK2718 Транзистор полевой N-канальный 900В 2.5А 40Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 2.5A Мощность макс.: 40 Вт Тип транзистора: N-канал
AOD478 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 415пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS205NH6327 Полевой транзистор N-канальный 20В 2.5A SOT23 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
DMG2301U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 608пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка DMG2307L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 760мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 371.3пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN3110S-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 2.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 73 мОм Мощность макс.: 740мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 305.8пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD3N50NZTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQU3N50CTU Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 365пФ Тип монтажа: Through Hole
IPD80R2K4P7ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 2.5A TO252-3 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF7450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF7450TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF820ALPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF820APBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"