Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFR4105TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 27A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 68Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4105ZPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 30A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 24.5 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 740пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4105ZTRPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 30A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 24.5 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 740пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420A
Транзистор полевой N-канальный 500В 2.3A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR420APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420ATRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR430APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 110Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1.7 Ом
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR430ATRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR430ATRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1.7 Ом
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4510PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR4615PBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 33A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 42 мОм
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 1750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4620PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1710пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4620TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1710пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR48ZPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Сопротивление открытого канала: 11 мОм
Мощность макс.: 91Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1720пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR5305PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR5305TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.