Радиочастотные (RF FET) транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение сток-исток max
Рабочая частота, Гц
Радиочастотные (RF FET) транзисторы (13)
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 15V, 50MA
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
15 В
BF245C BF245C Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 30 В, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
30 В
Акция
BF256B BF256B Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 30 В, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
30 В
MMBF4416 MMBF4416 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBF4416A MMBF4416A Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
35 В
Рабочая частота, Гц:
400 МГц
MMBF5484 MMBF5484 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
25 В
Рабочая частота, Гц:
400 МГц
Акция
MMBF5485 MMBF5485 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 225мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
25 В
Рабочая частота, Гц:
400 МГц
MMBF5486 MMBF5486 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
25 В
Рабочая частота, Гц:
400 МГц
MMBFJ309 MMBFJ309 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
25 В
Акция
MMBFJ310 MMBFJ310 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
25 В
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
25 В
На странице: