Радиочастотные (RF FET) транзисторы NXP / Philips

22
Производитель: NXP / Philips
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение сток-исток max
Рабочая частота, Гц
Радиочастотные (RF FET) транзисторы (22)
MW6S004NT1 MW6S004NT1 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 28V, 4W
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
PLD-1.5
Тип транзистора:
LDMOS
Напряжение сток-исток max:
68 В
Рабочая частота, Гц:
1.96 ГГц
MW6S010GNR1 MW6S010GNR1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный высокочастотный 28В 10Вт TO270-2GW
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2 GULL
Тип транзистора:
LDMOS
Напряжение сток-исток max:
68V
Рабочая частота, Гц:
960MHz
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице: