Радиочастотные (RF FET) транзисторы NXP / Philips

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение сток-исток max
Рабочая частота, Гц
Радиочастотные (RF FET) транзисторы (21)
AFT05MS004NT1 AFT05MS004NT1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 4-Pin(3+Tab) SOT-89A лента на катушке
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-89-3
Новинка
AFT05MS031NR1 AFT05MS031NR1 Транзистор полевой FET вымокочастотный 40В 520МГц TO-270-2
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2
Тип транзистора:
LDMOS
Напряжение сток-исток max:
40V
Рабочая частота, Гц:
520MHz
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 3-Pin PLD-1.5W лента на катушке
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
PLD-1.5
BF510,215 BF510,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
20 В
Рабочая частота, Гц:
100 МГц
BF511,215 BF511,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
20 В
Рабочая частота, Гц:
100 МГц
Акция
BF512,215 BF512,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В, 30 мА, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
20 В
Рабочая частота, Гц:
100 МГц
Акция
BF513,215 BF513,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
20 В
Рабочая частота, Гц:
100 МГц
BF545A,215 BF545A,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 30 В, 0.25 Вт, 6.5 мА
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
N-канальный JFET
Напряжение сток-исток max:
30 В
BF545B,215 BF545B,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 31 В, 0.25 Вт, 15 мА
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
BF992,215 BF992,215 Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 20В 40мА 200мВт 200МГц Tj=150°C
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-143B
BLF578,112 BLF578,112 Полевой транзистор, радиочастотный
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT539A
MRF300AN MRF300AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 133В 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-247
MRF300BN MRF300BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 133В 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-247
MRF6V12250HR5 MRF6V12250HR5 MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
NI-780
Тип транзистора:
LDMOS
Напряжение сток-исток max:
100V
Рабочая частота, Гц:
1.03GHz
MRF6V2010NR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2
Тип транзистора:
LDMOS
Напряжение сток-исток max:
110V
Рабочая частота, Гц:
220MHz
MRFE6S9060NR1 Полевой транзистор RF N-канальный 14Вт TO270-2
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2
MRFE6VP5300NR1 MRFE6VP5300NR1 TRANS RF LDMOS 300W TO-270
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270 WB-4
Тип транзистора:
LDMOS (Dual)
Напряжение сток-исток max:
133V
Рабочая частота, Гц:
230MHz
MRFE6VP61K25NR6 MRFE6VP61K25NR6
Производитель:
NXP / Philips
MRFE6VS25GNR1 MRFE6VS25GNR1 Полевой транзистор, радиочастотный, мощный, N-канальный, 133В 512МГц TO-270-2 GULL
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2 GULL
MW6S004NT1 MW6S004NT1 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 28V, 4W
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
PLD-1.5
Тип транзистора:
LDMOS
Напряжение сток-исток max:
68 В
Рабочая частота, Гц:
1.96 ГГц
На странице: