Сборки цифровых транзисторов ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (65)
NSBC143ZDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт,4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 500 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
NSTB60BDW1T1G Сборка: биполярный транзистор общего назначения PNP (50 В, 0.15 А, 140 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.15 А, 0.25 Вт, 22 кОм+47 кОм) Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
NSVMUN5111DW1T3G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
NSVMUN5211DW1T3G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
NSVMUN5237T1G Производитель: ON Semiconductor
NSVMUN5314DW1T3G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
NSVMUN5316DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
NSVMUN5332DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7 кОм
NSVMUN5333DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
SMUN5112DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм
SMUN5113DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
SMUN5211DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм
SMUN5213DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
SMUN5214DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
SMUN5232DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 187mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
Акция SMUN5233DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
SMUN5235DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
SMUN5311DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм
SMUN5311DW1T3G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм
SMUN5312DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм
На странице: