Сборки цифровых транзисторов ON Semiconductor оптом и в розницу

MUN5234DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5235DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5311DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5312DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5313DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5314DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5330DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 1 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 1 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5332DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7 кОм

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5333DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5335DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5335DW1T2G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

NSB1706DMW5T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм (соединены эмиттеры) Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-5 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

NSBC114EDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 500 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

NSBC114EPDP6T5G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.339 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-963 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 339 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

NSBC114EPDXV6T5G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6

Сообщить о поступлении

NSBC114TDXV6T5G TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6

Сообщить о поступлении

NSBC114YDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 500mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

NSBC114YF3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.254 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-1123

Сообщить о поступлении

NSBC114YPDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 500 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

NSBC123JPDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 500 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении