Сборки цифровых транзисторов ON Semiconductor оптом и в розницу

Акция

EMC4DXV5T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP 50В 100мА 5-Pin SOT-553 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

EMC5DXV5T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 260 МГц, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм) Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT5 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 500 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм, 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм, 10 кОм

Сообщить о поступлении

IMH20TR1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 15 В, 0.6 А, 0.3 Вт, 2.2 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-74R Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 15 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5111DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5112DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5113DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5114DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5115DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k

Сообщить о поступлении

MUN5116DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5133DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5135DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5211DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5212DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5213DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5214DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5215DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5216DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5230DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 1 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 1 кОм

Сообщить о поступлении

MUN5232DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7 кОм

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5233DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 250 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении