Сборки цифровых транзисторов NEXPERIA оптом и в розницу

PEMH14,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 47 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH15,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH18,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH2,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH20,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH7,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH9,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH9,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

PIMC31,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.5 А, 0.42 Вт, 1 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 420 мВт Сопротивление резистора базы R1: 1 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

PIMD3,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 600 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

PIMH9,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.4 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 600 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

PIMN31,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.5 А, 0.42 Вт, 1 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 420 мВт Сопротивление резистора базы R1: 1 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

PMBT3946YPN,115 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A 6TSSOP Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: NPN, PNP

Сообщить о поступлении

PUMB1,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм

Сообщить о поступлении

PUMB10,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

PUMB13,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

PUMB14,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 47 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм

Сообщить о поступлении

PUMB15,115 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 300mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

PUMB18,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 300mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PUMB2,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении