Сборки цифровых транзисторов Diodes Incorporated оптом и в розницу

ACX114EUQ-13R Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.27 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

DCX114EU-13R-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

DCX114EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

DCX114EUQ-13-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

DCX114YU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

DCX123JU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

DCX124EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм

Сообщить о поступлении

DCX143EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

DCX143TU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм

Сообщить о поступлении

DCX143ZU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

DDA114EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм

Сообщить о поступлении

DDA114TU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

DDA114YU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

DDA123JU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

DDA144EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

DDC114EH-7 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

DDC114EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

DDC114TU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

DDC114YU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении

DDC123JU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 200 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм

Сообщить о поступлении