Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

NSVMUN2212T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

SMMUN2111LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

SMMUN2111LT3G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

SMMUN2113LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

SMMUN2134LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

SMMUN2211LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

SMMUN2211LT3G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

SMMUN2213LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

SMMUN2213LT3G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

SMMUN2214LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

SMMUN2233LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

SMMUN2234LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

SMMUN2238LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k

Сообщить о поступлении

SMUN2211T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 230mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

SMUN2214T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 230mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

SMUN5111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

SMUN5211T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

SMUN5211T3G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

Акция

SMUN5213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

SMUN5214T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении