Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

MUN5114T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN5131T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k

Сообщить о поступлении

MUN5132T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5133T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5135T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN5211T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

MUN5212T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN5214T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN5215T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 10k

Сообщить о поступлении

MUN5230T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 1 кОм+1 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 1k

Сообщить о поступлении

MUN5232T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

Акция

MUN5233T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN5235T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

NSVDTA115EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 100 кОм+100 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75

Сообщить о поступлении

NSVMMUN2112LT1G TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

NSVMMUN2113LT3G Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

NSVMMUN2132LT1G TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

NSVMMUN2133LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

NSVMMUN2232LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении