Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

MMUN2114LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MMUN2115LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 400mW Сопротивление резистора базы R1: 10k

Сообщить о поступлении

MMUN2116LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k

Сообщить о поступлении

MMUN2131LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k

Сообщить о поступлении

MMUN2132LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

Акция

MMUN2133LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MMUN2134LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MMUN2135LT1G TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MMUN2137LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MMUN2211LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

16 754 шт

Цена от:

от 1,30₽

MMUN2211LT3G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

16 754 шт

Цена от:

от 1,52₽

MMUN2212LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

MMUN2213LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MMUN2214LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

32 060 шт

Цена от:

от 1,72₽

Акция

MMUN2215LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 400mW Сопротивление резистора базы R1: 10k

Сообщить о поступлении

Акция

MMUN2216LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 400mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k

Сообщить о поступлении

MMUN2231LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k

Сообщить о поступлении

MMUN2232LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

130 665 шт

Цена от:

от 1,37₽

MMUN2233LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MMUN2234LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении