Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

DTC124EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

DTC124XET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTC143EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

DTC143EM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

DTC143TM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k

Сообщить о поступлении

DTC143ZET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTC143ZM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

Акция

DTC144EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTC144EM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

FJV3101RMTF Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

FJV3104RMTF Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

FJV3105RMTF Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

FJV3113RMTF Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

FJY3002R Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

Акция

KSR1004 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead

Сообщить о поступлении

MMUN2111LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

MMUN2111LT3G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

MMUN2112LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

Акция

MMUN2113LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 400mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MMUN2113LT3G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении