Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (114)
PDTC124ET,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k
PDTC124TU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k
PDTC124XT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTC124XU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTC143ET,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
164 479 шт
Цена от:
от 1,39
PDTC143TU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k
PDTC143ZM,315 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTC143ZT,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
207 шт
Цена от:
от 2,31
PDTC144TU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 47k
PDTC144WU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k
PDTD123EUX TRANS PREBIAS NPN 0.425W Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323
PDTD123TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k
PDTD143ETR Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.32 Вт, 225 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 320mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
PUMF11,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP
На странице: