Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA оптом и в розницу

PDTC123JT,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 104 шт

Цена от:

от 2,38₽

PDTC123JU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

PDTC123TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k

Сообщить о поступлении

PDTC123YT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PDTC123YU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PDTC124ET,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

PDTC124ET,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

Акция

PDTC124EU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

PDTC124TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 22k

Сообщить о поступлении

PDTC124TU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k

Сообщить о поступлении

PDTC124XT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

PDTC124XU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

PDTC143ET,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Наличие:

33 789 шт

Под заказ:

-33 789 шт

Аналоги:

96 851 шт

Цена от:

от 1,37₽

PDTC143ET,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

164 479 шт

Цена от:

от 1,39₽

Акция

PDTC143EU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

Акция

PDTC143TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k

Сообщить о поступлении

PDTC143TU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k

Сообщить о поступлении

PDTC143XT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

Акция

PDTC143XU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PDTC143ZM,315 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении