Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (114)
PDTA123JT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTA123JU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTA123TM,315 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k
PDTA123YU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
PDTA124EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k
PDTA124EU,135 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k
PDTA124TT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 22k
PDTA124TU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k
PDTA124XU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTA143EM,315 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
PDTA143EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
PDTA143TT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k
PDTA143XT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
PDTA143ZM,315 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883
PDTA143ZT,235 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
48 507 шт
Цена от:
от 1,92
PDTA143ZU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTA144ET,235 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 122 шт
Цена от:
от 2,03
PDTA144EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTA144EU,135 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTA144WT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k
На странице: