Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (114)
PDTD123YT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
Наличие:
2 651 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4,38
PBRN113ET,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 40V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 1k
PBRN113ZT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 1 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 40V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
PBRN123ET,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 40V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k
PBRN123YT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 40V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
PBRP113ET,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 40V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 1k
PBRP113ZT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 1 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 40V Мощность Макс.: 600mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
PBRP123YT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 40V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
PDTA113EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 1 кОм+1 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 1k
PDTA113ZT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 1 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
PDTA113ZU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 1 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
PDTA114ET,235 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
PDTA114EU,135 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 932 шт
Цена от:
от 2,66
PDTA114TU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k
PDTA114YU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
PDTA115ET,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 100 кОм+100 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 100k Сопротивление резистора Э-База R2: 100k
PDTA115EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 100 кОм+100 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 100k Сопротивление резистора Э-База R2: 100k
PDTA115TT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 100 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 100k
PDTA123ETVL Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k
PDTA123EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k
На странице: