Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (60)
DDTA143TE-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k
DDTA143XCA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTA144ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
DDTB122LU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.22 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 220 Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTB123YU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTB142JU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 470 Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTB142TC-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 470
DDTB143EC-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
DDTC113TUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 1k
DDTC113ZCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC113ZUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC114ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC114ELP-7 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC114EUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC114WCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
DDTC114YCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
DDTC114YE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
DDTC114YUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
DDTC122LE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 200 МГц, 0.22 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 220 Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC123EUA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k
На странице: