Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (60)
ADA114YUQ-13 Производитель: Diodes Incorporated
ADC114YUQ-13 Производитель: Diodes Incorporated
ADTA114EUAQ-13 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 330mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
ADTA144ECAQ-13 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.31 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 310mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
ADTA144EUAQ-13 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.31 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 330mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
ADTA144EUAQ-7 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.31 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 330mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
ADTC114EUAQ-13 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 330mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
ADTC114EUAQ-7 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 330mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
ADTC124ECAQ-13 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.31 Вт, 250 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 310mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k
ADTC144EUAQ-13 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 330mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
DDTA113ZCA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTA113ZUA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTA114ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTA114GCA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, +10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTA123ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k
DDTA123JE-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523
DDTA123YUA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTA124XE-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 22 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
DDTA143ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
DDTA143EE-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
На странице: