Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated

60
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (60)
ADA114YUQ-13 ADA114YUQ-13
Производитель:
Diodes Incorporated
ADC114YUQ-13
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA114EUAQ-13 ADTA114EUAQ-13 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
330mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
ADTA144ECAQ-13 ADTA144ECAQ-13 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.31 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
310mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
ADTA144EUAQ-13 ADTA144EUAQ-13 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.31 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
330mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
ADTA144EUAQ-7 ADTA144EUAQ-7 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.31 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
330mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
ADTC114EUAQ-13 ADTC114EUAQ-13 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
330mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
ADTC114EUAQ-7 ADTC114EUAQ-7 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
330mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
ADTC124ECAQ-13 ADTC124ECAQ-13 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.31 Вт, 250 МГц, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
310mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
ADTC144EUAQ-13 ADTC144EUAQ-13 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
330mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DDTA113ZCA-7-F DDTA113ZCA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
1k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDTA113ZUA-7-F DDTA113ZUA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
1k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDTA114ECA-7-F DDTA114ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDTA114GCA-7-F DDTA114GCA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, +10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDTA123ECA-7-F DDTA123ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+2.2 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
2.2k
DDTA123JE-7-F DDTA123JE-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
DDTA123YUA-7-F DDTA123YUA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDTA124XE-7-F DDTA124XE-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 22 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
150mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DDTA143ECA-7-F DDTA143ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
DDTA143EE-7-F DDTA143EE-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
150mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
На странице: