Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Граничная частота
Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы (13)
BD682STU Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 100В 4A TO-126 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 450 шт
Цена от:
от 19,27
BF494 TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 20V Ток коллектора Макс.: 30mA Мощность Макс.: 350mW
KSP10BU Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 1Вт Кус не менее 60 не менее 650МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 25 В Мощность Макс.: 350 мВт Граничная частота: 650 МГц
KST10MTF Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 350мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 25 В Мощность Макс.: 350 мВт Граничная частота: 650 МГц
MMBT5179 Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 225мВт Кус не менее 25 2ГГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 12 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 225 мВт Граничная частота: 2 ГГц
MMBT918 Биполярный транзистор NPN 15В 50мА 225мВт Кус не менее 20 не менее 600МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
MMBT918LT1G Биполярный транзистор NPN 15В 50мА 225мВт Кус не менее 20 не менее 600МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 15 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 225 мВт Граничная частота: 600 МГц
MMBTH10 Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
8 000 шт.
Цена от:
от 1,05
MMBTH10-4LT1G Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус 120-240 не менее 800МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 25 В Мощность Макс.: 225 мВт Граничная частота: 800 МГц
MMBTH10LT1G Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 25 В Мощность Макс.: 225 мВт Граничная частота: 650 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 000 шт
Цена от:
от 1,05
MMBTH10M3T5G Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 265мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 25 В Мощность Макс.: 265 мВт Граничная частота: 650 МГц
MMBTH24 Биполярный транзистор NPN 30В 50мА 225мВт Кус не менее 30 не менее 400МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
MMBTH81 Биполярный транзистор PNP -20 -50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 600МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение КЭ Макс.: 20 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 225 мВт Граничная частота: 600 МГц
На странице: