Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

₆₀

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки биполярных транзисторов (60)

BC846BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А, 0.38W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзисторной сборки:

2 NPN

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

65 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

200

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

62 955 шт

Цена от:

от 1,56₽

Акция

BC846BPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А, 0.38Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзисторной сборки:

NPN/PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

65 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

200

Сообщить о поступлении

BC847BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзисторной сборки:

2 NPN

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

200

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

160 011 шт

Цена от:

от 1,20₽

BC847BDW1T3G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзисторной сборки:

2 NPN

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

200

Сообщить о поступлении

BC847BPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,1А, 0.38Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзисторной сборки:

NPN/PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

200

Сообщить о поступлении

BC847BPDW1T2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзисторной сборки:

NPN/PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

200

Сообщить о поступлении

BC847BPDW1T3G TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзисторной сборки:

NPN, PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45V

Ток коллектора Макс.:

100mA

Сообщить о поступлении

BC847BPDXV6T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-563-6

Тип транзисторной сборки:

NPN/PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

357 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

200

Сообщить о поступлении

Акция

BC847BS Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Тип транзисторной сборки:

2 NPN

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

210 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

200

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

773 381 шт

Цена от:

от 1,32₽

BC847CDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.38Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзисторной сборки:

2 NPN

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

420

Сообщить о поступлении

BC847CDXV6T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-563-6

Тип транзисторной сборки:

2 NPN

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

500 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

420

Сообщить о поступлении

BC847S Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Сообщить о поступлении

BC848CDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 30 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзисторной сборки:

2 NPN

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

30 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

420

Сообщить о поступлении

Акция

BC848CPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзисторной сборки:

NPN/PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

30 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

250 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

420

Сообщить о поступлении

BC856BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, -65 В, -0.1 А, 0.38Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзисторной сборки:

2 PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

65 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

220

Сообщить о поступлении

BC856BDW1T3G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзисторной сборки:

2 PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

65 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

220

Сообщить о поступлении

BC857BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А, 0.38Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363 (SC-88)

Тип транзисторной сборки:

2 PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

220

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

23 990 шт

Цена от:

от 1,32₽

BC857CDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А, 0.38 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзисторной сборки:

2 PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

45 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

380 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

420

Сообщить о поступлении

BC858CDXV6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 30 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-563-6

Тип транзисторной сборки:

2 PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

30 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

500 мВт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

420

Сообщить о поступлении

CPH5506-TL-E Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 1.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-CPH

Тип транзисторной сборки:

NPN/PNP

Напряжение колл.-эмитт. Макс:

30 В

Ток коллектора Макс.:

1.5 А

Мощность Макс.:

1.2 Вт

Коэффициент усиления hFE Мин.:

200

Сообщить о поступлении