Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение колл.-эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (59)
BC846BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А, 0.38W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
41 975 шт
Цена от:
от 1,67
BC846BPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
BC847BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
23 270 шт
Цена от:
от 1,62
BC847BDW1T3G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
BC847BPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,1А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
BC847BPDW1T2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
BC847BPDW1T3G TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88 Производитель: ON Semiconductor Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA
BC847BPDXV6T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 357 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
Новинка BC847BS Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 210 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
73 183 шт
Цена от:
от 1,67
BC847CDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420
BC847CDXV6T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420
BC847S Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
BC848CDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420
BC848CPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420
BC856BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, -65 В, -0.1 А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220
BC856BDW1T3G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220
BC857BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 (SC-88) Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
23 990 шт
Цена от:
от 1,55
BC857CDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А, 0.38 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420
BC858CDXV6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420
CPH5506-TL-E Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 5-CPH Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
На странице: