Сборки биполярных транзисторов NEXPERIA

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки биполярных транзисторов (73)

Новинка

PBSS2515YPN,115 NPN/PNP 15V 0.5A 200mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R Производитель: NEXPERIA Корпус: TSSOP6 Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 15V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 150 @ 100mA, 2V

Сообщить о поступлении

PBSS4021SN,115 Биполярный транзистор NPN/NPN, 20 В, 7.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOIC8 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 7.5 А Мощность Макс.: 2.3 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 250

Сообщить о поступлении

PBSS4021SP,115 Биполярный транзистор PNP/PNP, 20 В, 6.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOIC8 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 6.3 А Мощность Макс.: 2.3 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 150

Сообщить о поступлении

PBSS4032SN,115 Биполярный транзистор NPN/NPN, 30 В, 5.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: 8-SO

Сообщить о поступлении

PBSS4032SPN,115 Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 5.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOIC8 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 5.7 А, 4.8 А Мощность Макс.: 2.3 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 250

Сообщить о поступлении

PBSS4041SN,115 Биполярный транзистор NPN/NPN, 60 В, 6.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOIC8 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6.7 А Мощность Макс.: 2.3 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 150

Сообщить о поступлении

PBSS4041SPN,115 Биполярный транзистор NPN/PNP, 60 В, 6.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOIC8 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6.7 А, 5.9 А Мощность Макс.: 2.3 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 150

Сообщить о поступлении

PBSS4112PANP,115 TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON Производитель: NEXPERIA Корпус: uDFN6 Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 120V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 60 @ 500mA, 2V

Сообщить о поступлении

PBSS4140DPN,115 Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 300

Сообщить о поступлении

PBSS4160DS,115 Биполярный транзистор NPN/NPN, 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 420 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

PBSS4160PANSX Производитель: NEXPERIA

Сообщить о поступлении

PBSS4230PANP,115 TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON Производитель: NEXPERIA Корпус: uDFN6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В

Сообщить о поступлении

PBSS4240DPN,115 Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1.35 А, 1.1 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 300

Сообщить о поступлении

PBSS4260PANSX TRANS 2NPN 60V 2A 6HUSON Производитель: NEXPERIA Тип транзисторной сборки: 2NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 60 В

Сообщить о поступлении

PBSS4350SPN,115 Биполярный транзистор NPN/PNP, 50 В, 2.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOIC8 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2.7 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 300

Сообщить о поступлении

PBSS4350SS,115 Биполярный транзистор NPN/NPN, 50 В, 2.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOIC8 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2.7 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 300

Сообщить о поступлении

PEMT1,115 TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзисторной сборки: 2 PNP (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 120 @ 1mA, 6V

Сообщить о поступлении

PEMT1,315 TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзисторной сборки: 2 PNP (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 120 @ 1mA, 6V

Сообщить о поступлении

PEMX1,115 TRANS 2NPN 40V 0.1A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзисторной сборки: 2 NPN (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 120 @ 1mA, 6V

Сообщить о поступлении

PEMX1,315 TRANS 2NPN 40V 0.1A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзисторной сборки: 2 NPN (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 120 @ 1mA, 6V

Сообщить о поступлении