Сборки биполярных транзисторов Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение колл.-эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (29)
MMDT5451-7-F TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
160V, 150V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
200mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
MMDT5551-7-F TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN (Dual)
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
160V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
200mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
80 @ 10mA, 5V
MMDTA42-7-F TRANS 2NPN 300V 0.5A SOT26
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Тип транзисторной сборки:
2 NPN (Dual)
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
300V
Ток коллектора Макс.:
500mA
Мощность Макс.:
300mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
40 @ 30mA, 10V
Акция
ZDT6790TA Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 2А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SM8
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
45 В, 40 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2.75 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
400
ZXTC2062E6TA TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
20V
Ток коллектора Макс.:
4A, 3.5A
Мощность Макс.:
1.1W
Коэффициент усиления hFE Мин.:
280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
ZXTC2063E6TA NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
40V
Ток коллектора Макс.:
3.5A, 3A
Мощность Макс.:
1.1W
Коэффициент усиления hFE Мин.:
300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
ZXTD4591E6TA TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Тип транзисторной сборки:
NPN, PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
60V
Ток коллектора Макс.:
1A
Мощность Макс.:
1.1W
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100 @ 500mA, 5V
ZXTD6717E6TA Биполярный транзистор NPN/PNP, 15 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
15 В, 12 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А, 1.25 А
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
250
ZXTD720MCTA TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
8-DFN (3x2)
Тип транзисторной сборки:
2 PNP (Dual)
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
40V
Ток коллектора Макс.:
3A
Мощность Макс.:
1.7W
Коэффициент усиления hFE Мин.:
60 @ 1.5A, 2V
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице: