Сборки биполярных транзисторов Diodes Incorporated

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки биполярных транзисторов (29)

Акция

BC56-16PA-7 Биполярный транзистор NPN, 80 В, 1 А, 1.65W Производитель: Diodes Incorporated Корпус: HUSON3

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 113 шт

Цена от:

от 11,18₽

BC847BS-13-F Транзистор общего применения биполярный NPN 45В 0.1A 200мВт 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

225 803 шт

Цена от:

от 1,69₽

BC847BS-7-F Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

225 803 шт

Цена от:

от 1,69₽

BC847BSQ-7-F Производитель: Diodes Incorporated

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

225 803 шт

Цена от:

от 1,69₽

BC847BVN-7 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 150mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V

Сообщить о поступлении

BC847PN-7-F Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

BC857BS-13-F Биполярный транзистор сборка 2 PNP 45В 0.1A SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

257 139 шт

Цена от:

от 1,61₽

BC857BS-7-F Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

257 139 шт

Цена от:

от 1,59₽

DMMT3906-7-F TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзисторной сборки: 2 PNP (Dual) Matched Pair Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 225mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 100 @ 10mA, 1V

Сообщить о поступлении

DMMT3906W-7-F Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

DMMT5401-7-F TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-26 Тип транзисторной сборки: 2 PNP (Dual) Matched Pair Напряжение колл.-эмитт. Макс: 150V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 60 @ 10mA, 5V

Сообщить о поступлении

DRDNB16W-7 TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 50 В

Сообщить о поступлении

MMDT2222A-7-F Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

MMDT2227-7-F Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В, 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

MMDT2907A-7-F Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

MMDT3904V-7 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 100 @ 10mA, 1V

Сообщить о поступлении

MMDT4124-7-F Биполярный транзистор NPN/NPN, 25 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 120

Сообщить о поступлении

MMDT4126-7-F TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 25V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 120 @ 2mA, 1V

Сообщить о поступлении

MMDT4413-7-F Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

MMDT5401-7-F TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Напряжение колл.-эмитт. Макс: 50 В

Сообщить о поступлении