Сборки биполярных транзисторов Diodes Incorporated

30
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение колл.-эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (30)
Акция
BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Биполярный транзистор NPN, 80 В, 1 А, 1.65W
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
HUSON3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 003 шт
Цена от:
от 9,66
BC847BS-13-F BC847BS-13-F Транзистор общего применения биполярный NPN 45В 0.1A 200мВт 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
773 381 шт
Цена от:
от 1,32
BC847BS-7-F BC847BS-7-F Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
773 381 шт
Цена от:
от 1,32
BC847BSQ-7-F
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
773 381 шт
Цена от:
от 1,32
BC847BVN-7 BC847BVN-7 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
BC847PN-7-F TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
BC847PN-7-F BC847PN-7-F Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
200
BC857BS-13-F BC857BS-13-F Биполярный транзистор сборка 2 PNP 45В 0.1A SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
298 729 шт
Цена от:
от 1,38
BC857BS-7-F BC857BS-7-F Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
220
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
298 729 шт
Цена от:
от 1,38
DMMT3906-7-F DMMT3906-7-F TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Тип транзисторной сборки:
2 PNP (Dual) Matched Pair
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
40V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
225mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100 @ 10mA, 1V
DMMT3906W-7-F DMMT3906W-7-F Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
DMMT5401-7-F DMMT5401-7-F TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Тип транзисторной сборки:
2 PNP (Dual) Matched Pair
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
150V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
300mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
60 @ 10mA, 5V
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
50 В
MMDT2222A-7-F MMDT2222A-7-F Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
MMDT2227-7-F MMDT2227-7-F Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
40 В, 60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
MMDT2907A-7-F MMDT2907A-7-F Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
MMDT3904V-7 MMDT3904V-7 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзисторной сборки:
2 NPN (Dual)
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
40V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
200mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100 @ 10mA, 1V
MMDT4124-7-F MMDT4124-7-F Биполярный транзистор NPN/NPN, 25 В, 0.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 NPN
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
25 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
120
MMDT4126-7-F MMDT4126-7-F TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
2 PNP (Dual)
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
25V
Ток коллектора Макс.:
200mA
Мощность Макс.:
200mW
Коэффициент усиления hFE Мин.:
120 @ 2mA, 1V
MMDT4413-7-F MMDT4413-7-F Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзисторной сборки:
NPN/PNP
Напряжение колл.-эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.:
100
На странице: