Одиночные биполярные транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (202)
ST93003 Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 1.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-32-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 16 Тип монтажа: Сквозной
STB13007DT4 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 80 Вт Коэффициент усиления hFE: 8 Тип монтажа: Поверхностный
STC03DE170HV Биполярный транзистор, 1700 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247-4L HV
STD1802T4 Биполярный транзистор NPN 60В 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А
STD2805T4 TRANS PNP 60V 5A DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
STD888T4 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
Акция STN790A Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
STN851 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
STN9260 Биполярный транзистор PNP 600В 0.5A SOT-223 Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 600 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный
Акция STP03D200 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 1200 В, 0.1 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 1200 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
STT818B Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23-6L Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
STX13005 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO92-3
STX93003 Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 1 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 16 Тип монтажа: Сквозной
TIP105 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 8 А, 80 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
TIP110 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220
TIP115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
TIP126 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
Акция TIP135 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 8 А, 70 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220
TIP29A Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
TIP32A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы ST Microelectronics - от 0.40376 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"