Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

BC547CBU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

123 272 шт

Цена от:

от 1,23₽

Акция

BC547CG Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

123 272 шт

Цена от:

от 1,23₽

BC547CTA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

123 272 шт

Цена от:

от 1,23₽

BC547CTFR Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

123 272 шт

Цена от:

от 1,23₽

BC548BTA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC548CG Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC548CTA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC549CG Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC549CTA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC550CBU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC550CG Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

BC550CTA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC556ABU Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BC556ATA Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BC556BG Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 280 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 581 шт

Цена от:

от 1,59₽

Акция

BC556BTA Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 581 шт

Цена от:

от 1,59₽

BC556BTF Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 581 шт

Цена от:

от 1,59₽

BC556BTFR Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 581 шт

Цена от:

от 1,59₽

BC557ATA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC557BRL1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 320 МГц

Сообщить о поступлении