Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

BC33740BU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

11 430 шт

Цена от:

от 1,78₽

Акция

BC33740TA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

11 430 шт

Цена от:

от 1,61₽

BC337G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 210 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC368G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1.0 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

Акция

BC369ZL1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1.0 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 85 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 65 МГц

Сообщить о поступлении

BC516_D27Z Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.4 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 30000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

BC517-D74Z Биполярный транзистор Дарлингтона NPN 30В 1.2A 625мВт 3-Pin TO-92 лента в коробке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1.2 А Мощность Макс.: 625 мВт Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

Акция

BC517G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.4 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

BC546ABU Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC546ATA Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC546BG Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

18 750 шт

Цена от:

от 1,54₽

Акция

BC546BTA Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

18 750 шт

Цена от:

от 1,54₽

BC546BTF Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

18 750 шт

Цена от:

от 1,54₽

BC546CTA Биполярный транзистор NPN 65В 0.1A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC547ATA TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC547B Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC547BBU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC547BG Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC547BTA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BC547BTF Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении