Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (712)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

50A02MH-TL-E Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMD3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 690 МГц

Сообщить о поступлении

50C02CH-TL-E Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-CPH Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 500 МГц

Сообщить о поступлении

BC327-25RL1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

23 761 шт.

Цена от:

от 1,79₽

Акция

BC327-25ZL1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

23 761 шт

Цена от:

от 1,79₽

Акция

BC327-40ZL1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.8 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 260 МГц

Сообщить о поступлении

BC32725BU Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

23 761 шт

Цена от:

от 1,79₽

Акция

BC32725TA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

23 761 шт

Цена от:

от 1,79₽

BC32740BU Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC32740TA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC327BU Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC337-040G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 210 МГц

Сообщить о поступлении

BC337-25RL1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

Акция

BC337-25ZL1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.8 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead

Сообщить о поступлении

Акция

BC337-25ZL1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.8 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 210 МГц

Сообщить о поступлении

BC33716BU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC33716TA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC33725BU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC33725TA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC33725TF Биполярный транзистор NPN 45В 0.8A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC33725TFR Транзистор биполярный NPN 45В 0.8A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 @ 100mA, 1V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении