Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
2SC3953 C Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.2 А, 8 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA
2SC4027T-H Транзистор биполярный NPN 160В 1.5A TP Производитель: ON Semiconductor Корпус: TP Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 120 МГц
2SC5227A-4-TB-E Транзистор биполярный NPN BIPO VHF-UHF CP Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-CP Тип транзистора: NPN Ток коллектора Макс.: 70 мА
2SC5415AE-TD-E Биполярный транзистор, NPN Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN
2SC5551AE-TD-E Биполярный транзистор, NPN Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN
2SC5566-TD-E Транзистор биполярный общего применения NPN 100В 4А 1300мВт 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor
2SC5569-TD-E NPN Bipolar Transistor 50 V, 7 A, Low VCE(sat). Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-243AA (SOT89)
2SC5706-TL-E Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TP-FA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 5 А
2SC5706-TL-H Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TP-FA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 5 А
2SC5707-E Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TP Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 8 А
2SC5964-TD-E Транзистор биполярный NPN 50В 3A PCP Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 3.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 @ 100mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 380 МГц
2SC6017-TL-E Транзистор биполярный NPN 50В 10A TP-FA Производитель: ON Semiconductor Корпус: 2-TP-FA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 950 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 @ 1A, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
2SC6095-TD-E Транзистор биполярный NPN 80В 2.5A SOT89-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 2.5 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 350 МГц
2SC6144SG Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 10 А
2SD1207S-AE TRANS NPN 50V 2A 3MP Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А
2SD1802S-TL-E Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 2-TP-FA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А
2SD1805F-TL-E Транзистор биполярный NPN 20В 5A TP-FA Производитель: ON Semiconductor Корпус: 2-TP-FA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 160 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц
2SK3557-6-TB-E RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-CP
2SK3666-3-TB-E JFET N-CH 10MA 200MW 3CP Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-CP
50A02CH-TL-E Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-CPH Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 690 МГц
На странице: